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壳式变压器壳式变压器（shell-type transformer）是用壳式铁心制成的变压器叫壳式变压器。壳式变压器在性能上的某些优点虽不如心式变压器，但对功率很小的变压器来说，由于只有一只线包，结构上较为简单，故在小功率的变压器上仍得到广泛采用。壳式变压器的铁心像器身的外壳，结构上任何一个绕组两边总有铁心或铁轭，一般心式绕组立放，而壳式绕组卧放，由于壳式变压器的绝缘件较复杂，使得其结构较紧凑，壳式铁心尺寸较小，漏磁很小，引起的绕组附加损耗低。因绕组被铁心包围，起到一定的屏蔽作用，油箱的杂散损耗也小， 总体积小、重量轻。当与心式相同重量时总损耗要低，也就比较节能节材。壳式铁心靠油箱 ；支撑，铁心侧面与油箱无需绝缘距离，绕组为长方形，套在铁心柱上所余四角空隙比心式 小，容易制成适形油箱。绕组卧放引出线在上部，装配比较省事方便。
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因变压器出口短路导致变压器内部故障和事故的原因很多，也比较复杂，它与结构设计、原材料的质量、工艺水平、运行工况等因数有关，但电磁线的选用是关键。从近几年解剖变压基于变压器静态理论设计而选用的电磁线，与实际运行时作用在电磁线上的应力差异较大。1、绕组绕制较松，换位处理不当，过于单薄，造成电磁线悬空。从事故损坏位置来看，变形多见换位处，尤其是换位导线的换位处。2、各厂家的计算程序中是建立在漏磁场的均匀分布、线匝直径相同、等相位的力等理想化的模型基础上而编制的，而事实上变压器的漏磁场并非均匀分布，在铁轭部分相对集中，该区域的电磁线所受到机械力也较大；换位导线在换位处由于爬坡会改变力的传递方向，而产生扭矩；由于垫块弹性模量的因数，轴向垫块不等距分布，会使交变漏磁场所产生的交变力延时共振，这也是为什么处在铁心轭部、换位处、有调压分接的对应部位的线饼首先变形的根本原因。3、绕组的预紧力控制不当造成普通换位导线的导线相互错位。4、抗短路能力计算时没有考虑温度对电磁线的抗弯和抗拉强度的影响。按常温下设计的抗短路能力不能反映实际运行情况，根据试验结果，电磁线的温度对其屈服极限?0.2影响很大，随着电磁线的温度提高，其抗弯、抗拉强度及延伸率均下降，在250℃下抗弯抗拉强度要比在50℃时下降上，延伸率则下降40%以上。而实际运行的变压器，在额定负荷下，绕组平均温度可达105℃，最热点温度可达118℃。一般变压器运行时均有重合闸过程，因此如果短路点一时无法消失的话，将在非常短的时间内(0.8s)紧接着承受第二次短路冲击，但由于受第一次短路电流冲击后，绕组温度急剧增高，根据GBl094的规定，最高允许250℃，这时绕组的抗短路能力己大幅度下降，这就是为什么Satons变压器重合闸后发生短路事故居多。
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升压变压器是指将电压瞬间启动，目前国内能有效做到瞬间升压的变压器生产商比较稀少，升压变压器瞬间启动升压能力比较强、升压效果较好。它区别在于无励磁调压开关不具备带负载转换档位的能力，因为这种分接开关在转换档位过程中，有短时断开过程，断开负荷电流会造成触头间拉弧烧坏分接开关或短路，故调档时必须使变压器停电。因此一般用于对电压要求不是很严格而不需要经常调档的变压器。
变压器是一种常见的电气设备，可用来把某一数值的交变电压变换为同频率的另一数值的交变电压。升压变压器就是用来把低数值的交变电压变换为同频率的另一较高数值交变电压的变压器。其在高频领域应用较广，如逆变电源等。高频式:高频升压变压器采用高频倍压整流电路，应用最新的PWM脉宽调制技术和功率IGBT器件，并根据电磁兼容性理论，采用特殊工艺，使直流发生器实现高品质、便携式。由控制箱和倍压装置两 部分组成，内设保护电阻，具有电压零位闸保护、过流及过压保护功能。体积小、重量轻、便于携带、方便、安全可靠，适用于电力部门现场直流高压试验，避雷器直流特性测试及其它需要直流高压的场合。
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当电源变压器的初级绕组通电后，线圈所产生的磁通在铁芯流动，因为铁芯本身也是导体，在垂直于磁力线的平面上就会感应电势，这个电势在铁芯的断面上形成闭合回路并产生电流，好像p一个旋涡所以称为“涡流”。这个“涡流”使变压器的损耗增加，并且使变压器的铁芯发热电源变压器的温升增加。由“涡流”所产生的损耗我们称为“铁损”。另外要绕制电源变压器需要用大量的铜线，这些铜导线存在着电阻，电流流过时这电阻会消耗一定的功率，这部分损耗往往变成热量而消耗，我们称这种损耗为“铜损”。所以变压器的温升主要由铁损和铜损产生的。 由于电源变压器存在着铁损与铜损，所以它的输出功率永远小于输入功率，为此我们引入了一个效率的参数来对此进行描述，η=输出功率/输入功率。
要绕制一个电源变压器我们必须对与电源变压器有关的材料要有一定的认识，为此这里我就介绍一下这方面的知识。铁芯材料
电源变压器使用的铁芯材料主要有铁片、低硅片，高硅片，的钢片中加入硅能降低钢片的导电性，增加电阻率，它可减少涡流，使其损耗减少。我们通常称为加了硅的钢片为硅钢片，电源变压器的质量所用的硅钢片的质量有很大的关系，硅钢片的质量通常用磁通密度B来表示，一般黑铁片的B值为6000-8000、低硅片为9000-11000，高硅片为12000-16000。
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