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永州SCB10/SCB11/SCB12/SCB13干式变压器性能优越

文章来源:永州龙飞变压器有限公司 更新时间:2024-05-06 15:53:16
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基本参数
  • 品牌

    龙飞

  • 产地

    山东

  • 规格

    齐全






  在你的配电系统中,系统的功率因素,在理想的情况下,主要决定于负载特性。在没有任何补偿的情况下,如果负载是纯电阻,那么系统的功率因素就是如果是纯电感,那么功率因素就为0。与变压器本身的特性无关。但在实际情况中,负载往往具有电阻、电感、电容的混合特性。   所以存在大于0,小于1的功率因素值。变压器的容量,被称为视在功率,在这里就是630kVA,他包括所有的有功和无功功率的输出。如果你是0.98的功率因素,那么630kVA的变压器容量,可以有630*0.98=614kW的有功输出。如果功率因素是0.8,那么只能有630*0.8=504kW的有功功率输出,剩下的就是无功功率。   也就是说,由于系统(负载)的功率因素低,造成变压器输出的有功功率下降。造成能源的浪费。一般电动机的功率因素在0.8左右。所以,为了变压器的有功出力,需要进行电容补偿,来系统的功率因素。以上就是变压器额定功率和变压器负载的关系。   变压器是由很多的物件组成的,其中导线就是变压器的微小的器件相当于的细胞,是基本的单位,变压器导线不是说随便装上就行的,他必须要有一定的电压和电流,在特定的环境中进行,如果导线不适合的话,很容易发生危险,整不好的话,变压器会发生!铡?

  高压变压器的铁芯一般都是用硅钢片制做的。而硅钢是一种含硅的钢,其含硅量在0.8~8%。由硅钢做变压器的铁芯,是因为硅钢本身是一种导磁能力很强的磁性,在通电线圈中,它可以产生较大的磁感应强度,从而可以使变压器的体积缩小。   铁芯的主要作用是高压变压器在交流状态下工作,功率损耗不仅在线圈的电阻上,也产生在交变电流磁化下的铁芯中。铁芯主要由铁芯本体、紧固件和绝缘件组成。小小铁芯的作用可是不小哦。接下来让小编告诉你什么是初级绕线组,什么是次级绕线组吧。   在高压变压器中接电源的绕组叫初级线圈,其余的绕组叫次级线圈,线圈也就所说的线组。线组的主要作用是当一次侧绕组通过交流电时,变压器开始产生交变磁场,通过交变磁场的感应作用,次级绕组也相应的产生交变磁场而产生交流电动势,次级绕组的电压高低与次级绕组的匝数比有关系,即电压与匝数成正比。   除了以上三个高压变压器的内部结构外,接下来说说高压变压器的外部结构,外部结构主要有变压器油、油箱和冷却装置、调压装置、保护装置及测温装置等和出线套管。其中保护装置包括吸湿器、气道、气体继电器、储油柜等等。

  本例采用第三种方法,即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层,其结构如图3所示,共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制,N1接到控制回路的地;两个下管驱动绕组由于电位变化不大,同时与N2连接,实际上是接到了功率地;N3和N4将上管绕组NA包了起来,并与NA的异名端相接;N5将绕组ND与NA隔离。   这样每个绕组都和它的屏蔽层同电位,它们之间不会有容性电流。当上管TA导通、上管绕组NA的电位跳升时,屏蔽层N3和N4的电位也要同样跳变,由于N2和N3之间的分布电容,这个跳变将在这两个屏蔽层中间产生电流,但对管子的驱动没有影响,只是会耗损一点主功率。   在实际电路中采用了加电磁屏蔽的驱动变压器之后,问题得到了全部解决。需要提出的是,屏蔽的作用是将各个绕组隔离开,以避免分布电容的不良影响。因此屏蔽层接到什么地方,是需要慎重考虑的,否则可能适得其反。如果图3中的NN4不与NA相接,而是与N2一起接到功率地,则电容分布如图4所示,CC7分别表示绕组NA的上下端与屏蔽层N3间,也就是功率地间的分布电容(实际上CC7分别是包含了图2中、C1后的等效电容)。   当NA输出正脉冲的上升沿时,TA迅速导通,M点电位跳升,于是CC7中要有容性电流产生。M是低阻抗点,电流iC7对它的电位影响不大,但N点却是高阻抗点,iC6电流将降低它的电位,可能使TA管关断。因此不能采用这种连接方式。

  屏蔽层NN4如改与NA的同名端相接,效果也不好。实际电路都是由非理想元件组成的,在设计中可能会遇到许多预料不到的情况。在调试如图1所示的普通全桥电源时,输出不是料想中平稳的波形,而是不时发生间歇振荡,并发出“吱吱”声,有时甚至会烧毁开关管。   对电路进行分析后未发现结构上可能导致不的因素,于是改变输出采样的电压比,将输出调定在半电压24V上,使用90V的输入直流电压,在保证功率管安全的情况下进行调试。待电路工作正常后,再升高输入直流电压,经过多次试验,发现当Ui为180~250V时就可能引发振荡,后判定是驱动变压器各个绕组之间的分布电容在捣乱。   当驱动变压器的绕组NA输出正脉冲时NB输出负脉冲,TA管由截止转为饱和导通,于是TA管的源极即M点的电位急速升高,并通过电容C2提升NB绕组上端P的电位,升高的数值与两个绕组的分布电容CCC3有关,还和P点到地的高频阻抗以及M点电位上升的速度有关。   两只开关管的电容分布如图2所示,其中C2是绕组NA的下端M与NB的上端P间的分布电容。如果提升的数值大于NB绕组自身的负脉冲幅度,就会引发TB管的瞬时导通,从而出现前面所述的间歇振荡。其他各管导通时也会有类似情况发生。

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